| 摘要 |
(과제) 피(被)처리체로의 열처리를 용이하게 조정할 수 있는 열처리 시스템, 열처리 방법 및, 프로그램을 제공한다. (해결 수단) 열처리 장치(1)의 제어부(50)는, 반도체 웨이퍼(W)에 D-poly막을 성막하고, 성막한 D-poly막이 목표로 하는 열처리 특성을 충족하는지 아닌지를 판별한다. 제어부(50)는, 목표로 하는 열처리 특성을 충족하지 않는다고 판별하면, 성막한 D-poly막의 열처리 특성과, 반응관(2) 내의 온도 및 처리 가스 공급관(21∼23)의 유량의 변화와 열처리 특성의 변화와의 관계를 나타내는 모델에 기초하여, 목표로 하는 열처리 특성을 충족하는 바와 같은 반응관(2) 내의 온도 및 처리 가스 공급관(21∼23)의 유량을 산출한다. 제어부(50)는, 산출한 온도 및 유량으로 변경한 열처리 조건으로 반도체 웨이퍼(W)에 D-poly막을 성막하여, 목표로 하는 열처리 특성을 충족하는 열처리로 조정한다. |
