发明名称 REACTION TUBE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 본 발명은 반응관의 TOP 영역의 가스 균일성 불량을 억제하여 가스 흐름을 개선하고, 기판의 면내 및 면간 균일성을 향상시킬 수 있는 반응관, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.적층된 복수의 기판을 수용하는 통 형상의 반응관에 있어서, 통부; 및 상기 통부의 상부를 커버하고, 실질적으로 평탄한 내측 천정면을 갖는 천정부를 구비하고, 상기 천정부의 측벽의 두께는 상기 통부의 측벽의 그것보다 크고 상기 천정부의 외형의 최대 지름이 상기 통부의 외형의 최대 지름보다 큰 반응관이 제공된다.
申请公布号 KR101615089(B1) 申请公布日期 2016.04.25
申请号 KR20130108258 申请日期 2013.09.10
申请人 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 发明人 오카다 사토시;타카기 코스케;카가 유키나오
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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