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Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Halbleiterbauteils (10) bereitgestellt, welches ein Halbleitersubstrat (1) mit einer ersten Seite (15) und eine Randregion (12) umfasst. Das Verfahren umfasst das Ausbilden eines Emitters (5) an der ersten Seite (15) des Halbleitersubstrats (1) durch die Dotierung mit einem Dotanden, worin die Dotandenkonzentration im Emitter (5) höher ist als in der Randregion (12); das Züchten einer Oxidschicht (14) auf der ersten Seite (15) zumindest teilweise mittels Tempern, wobei die Oxidschicht eine erste Dicke in einer ersten Region (20) aufweist, die den Emitter (5) bedeckt, und worin die Oxidschicht (14) eine zweite Dicke in einer zweiten Region (25) aufweist, die die Randregion (12) bedeckt; und worin die erste Dicke größer als die zweite Dicke ist; das Implantieren von Schwermetallionen (40) mit einer ersten Energie durch die erste Seite (15); das Implantieren von Schwermetallionen (40) mit einer zweiten Energie durch die erste Seite (15); worin die erste Energie und die zweite Energie unterschiedlich gewählt sind, sodass die implantierte Schwermetallkonzentration aufgrund einer Absorption eines Teils der Schwermetallionen (40) mit der geringeren Energie in der ersten Region (20) der Oxidschicht, die den Emitter (5) bedeckt, in der Randregion (12) höher als im Emitter (5) ist, was in der Randregion (12) zu einer geringeren Ladungsträgerlebensdauer als im Emitter (5) führt. Ferner werden eine Halbleitervorrichtung sowie ein Zwischenprodukt bereitgestellt. |
