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본 발명은 기판의 대구경화에 따른 스루풋의 저하를 억제하는 것을 가능하게 하는 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다. 제1 처리 가스 공급부에 의하여 제1 처리 가스를 유량 제어 장치를 개재하여 처리실 내에 공급하여 기판 상에 제1 막을 형성한다. 그리고, 적어도 제1 처리 가스가 처리실 내에 공급된 후 압력 검출기에 의하여 배기 압력이 검출되면, 검출된 배기 압력을 나타내는 신호를 제어부에 송신한다. 그리고, 제어부가 상기 신호를 수신하면, 배기 압력이 소정의 압력이 되도록 제어부에 의하여 압력 조절기 및 유량 제어 장치를 제어한다. 제1 막이 형성된 후, 퍼지 가스 공급부에 의하여 퍼지 가스를 공급한다. 그리고, 제2 처리 가스 공급부에 의하여 제2 처리 가스를 유량 제어부를 개재하여 처리실 내에 공급하여 제1 막 상에 제2 막을 형성한다. |
