| 发明名称 |
具有提升之可靠性的高功率半导体电子元件 |
| 摘要 |
电子元件，包含空乏模式电晶体、增强模式电晶体与电阻器。空乏模式电晶体具有比增强模式电晶体高的崩溃电压。电阻器的第一端点系电气连接至增强模式电晶体的源极，且电阻器的第二端点与空乏模式电晶体的源极之每一者系电气连接至增强模式电晶体的汲极。空乏模式电晶体的闸极可电气连接至增强模式电晶体的源极。
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| 申请公布号 |
TWI531060 |
申请公布日期 |
2016.04.21 |
| 申请号 |
TW101136930 |
申请日期 |
2012.10.05 |
| 申请人 |
全斯法姆公司 |
发明人 |
莱尔拉克许Ｋ;可菲罗柏特;吴毅锋;帕立克波利米特;朵拉尤法拉;米喜拉邬梅西;邱杜利斯拉班提;费希滕宝尼可拉斯 |
| 分类号 |
H01L29/20(2006.01);H01L29/66(2006.01);H01L29/778(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/20(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
一种电子元件，该电子元件包含：一增强模式电晶体，该增强模式电晶体具有一第一崩溃电压，该增强模式电晶体包含一第一源极、一第一闸极与一第一汲极；一空乏模式电晶体，该空乏模式电晶体具有比该第一崩溃电压大的一第二崩溃电压，该空乏模式电晶体包含一第二源极、一第二闸极与一第二汲极；以及一电阻器，该电阻器包含一第一端点与一第二端点；其中该第二端点与该第二源极系电气连接至该第一汲极，且该第一端点系电气连接至该第一源极。
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| 地址 |
美国 |
