| 发明名称 |
プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）源 |
| 摘要 |
一実施形態は、内部にキャビティが形成された本体と、キャビティ内に配置された少なくとも２つの内蔵マグネトロンアセンブリとを含むプラズマ源に関する。マグネトロンアセンブリは、相互に電気的に絶縁され、本体から電気的に絶縁される。このような実施形態の１つの実行において、内蔵マグネトロンアセンブリは、クローズドドリフトマグネトロンアセンブリを含む。他の実施形態が開示される。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2016511911(A) |
申请公布日期 |
2016.04.21 |
| 申请号 |
JP20150550732 |
申请日期 |
2013.12.23 |
| 申请人 |
スパッタリング・コンポーネンツ・インコーポレーテッド |
发明人 |
クローリー，ダニエル・セオドア;モーゼ，パトリック・ローレンス;メレディス，ジュニア・ウィリアム・エイ．;ジャーマン，ジョン・ロバート;ニール，ミッシェル・リン |
| 分类号 |
H05H1/32;C23C16/503;H01L21/31 |
主分类号 |
H05H1/32 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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