发明名称 |
调整基板温度以改善关键尺寸均一性的方法、电浆蚀刻系统、以及电浆蚀刻基板的方法 |
摘要 |
具有基板支撑组件的电浆蚀刻系统,该基板支撑组件具有多个可独立控制的加热器区。该电浆蚀刻系统用于控制预定位置的蚀刻温度,俾使蚀刻前及/或蚀刻后的关键元件参数的非均一性能够被补偿。
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申请公布号 |
TWI531000 |
申请公布日期 |
2016.04.21 |
申请号 |
TW099143999 |
申请日期 |
2010.12.15 |
申请人 |
兰姆研究公司 |
发明人 |
高夫 凯伊斯 威廉;席恩 哈密特;卡门登特 凯伊斯;瓦海地 瓦西德 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
许峻荣 |
主权项 |
一种电浆蚀刻系统的使用方法,该电浆蚀刻系统包括一基板支撑组件,用于在电浆蚀刻时支托一基板,该基板支撑组件包括复数可独立控制的加热器区及一控制器单元,该等加热器区位于该基板的复数元件晶粒位置下的一装置中,该控制器单元控制每一加热器区;该方法包括:量测在该基板的该复数元件晶粒位置上的复数蚀刻前关键元件参数;将该等蚀刻前关键元件参数、及来自之前被蚀刻基板的复数蚀刻后关键元件参数之至少一者传送至该电浆蚀刻系统;接着将该基板支托在该基板支撑组件上;将复数制程配方参数传送至该电浆蚀刻系统、及/或从一记忆体将复数制程配方参数载入至该电浆蚀刻系统;由该等制程配方参数、目标蚀刻后关键元件参数、该等蚀刻前关键元件参数、及该等蚀刻后关键元件参数之至少一者,推导出在该基板上的复数预定位置的目标蚀刻温度;使用该等加热器区,调整每一元件晶粒位置的温度至其目标蚀刻温度;及对该基板进行电浆蚀刻。
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地址 |
美国 |