| 发明名称 |
永久接合晶圆的方法 |
| 摘要 |
明系关于一种藉由以下步骤，尤其系按以下序列将第一基板(1)之第一接触表面(3)接合至第二基板(2)之第二接触表面(4)的方法：- 在该第一基板(1)及/或该第二基板(2)上之至少一储集器形成层(6、6')中形成至少一储集器(5、5')，该储集器(5、5')尤其至少主要由非晶形材料组成，- 以第一离析剂或离析剂之第一群组至少部分填充该/该等储集器(5、5')，- 将反应层(17)形成或涂覆至该储集器(5)及/或该储集器(5')，该反应层(17)含有第二离析剂或离析剂之第二群组，- 该第一接触表面(3)与该第二接触表面(4)接触以形成预接合连接，- 在该第一接触表面与该第二接触表面(3、4)之间形成永久接合，该永久接合至少部分藉由该第一离析剂或该第一群组与该第二离析剂或该第二群组之反应强化。
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| 申请公布号 |
TWI530985 |
申请公布日期 |
2016.04.21 |
| 申请号 |
TW101112348 |
申请日期 |
2012.04.06 |
| 申请人 |
ＥＶ集团Ｅ塔那有限公司 |
发明人 |
威普林格 马克斯;亨格尔 克特;普拉格 汤玛斯;伏洛杰恩 克里斯多夫 |
| 分类号 |
H01L21/02(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/50(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种将第一基板之第一接触表面接合至第二基板之第二接触表面的方法，其包括以下步骤：在该第一基板及/或该第二基板上之至少一个储集器于至少一个储集器形成层中形成，该储集器至少主要包括非晶形材料，其中利用正矽酸四乙酯-氧化层形成至少一个储集器作为储集器形成层，在该至少一储集器经形成之后，以第一离析剂或第一群组至少部分填充该/该等储集器，将反应层形成或涂覆至该储集器，该反应层含有第二离析剂或第二群组，在该至少一个储集器经填充之后，使该第一接触表面与该第二接触表面接触以形成预接合连接，及在该第一接触表面与该第二接触表面之间形成永久接合，该永久接合至少部分藉由该第一离析剂或该第一群组与该第二离析剂或该第二群组之反应强化。
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| 地址 |
奥地利 |
