覆晶式发光二极体封装结构及晶圆封装结构

摘要

覆晶式发光二极体封装结构，包括封装基底及发光二极体。封装基底包括第一基板、第一、第二电极及接合层。第一与第二电极配置于第一基板上。接合层配置于第一基板上。发光二极体倒覆于封装基底且包括磊晶层、第三、第四电极、第二绝缘层及多个接合柱。第三与第四电极配置于磊晶层上，接触第一与第二电极。第二绝缘层位于第三与第四电极之间。接合柱配置于第二绝缘层上且接触接合层。接合层与第一及第二电极之间的最小间隙和接合柱与第三及第四电极之间的最小间隙大于接合柱的宽度。

主权项

一种覆晶式发光二极体封装结构，包括：一封装基底，包括：一第一基板；一第一电极，配置于局部的该第一基板上；一第二电极，配置于局部的该第一基板上且与该第一电极之间间隔一距离；；以及一接合层，配置于局部的该第一基板上；以及一发光二极体，倒覆于该封装基底而与该封装基底电性连接，该发光二极体包括：一磊晶层；一第三电极，配置于局部的该磊晶层上且接触该第一电极；一第四电极，配置于局部的该磊晶层上且接触该第二电极，该第四电极与该第三电极之间间隔一距离；至少一第二绝缘层，配置于局部的该磊晶层上且位于该第三电极与该第四电极之间；以及多个接合柱，配置于该至少一第二绝缘层上，至少一部分的该些接合柱接触该接合层，其中：该接合层与该第一电极之间以及该接合层与该第二电极之间的最小间隙大于各该接合柱的宽度，且该些接合柱与该第三
电极之间以及该些接合柱与该第四电极之间的最小间隙大于各该接合柱的宽度。