半导体发光装置

摘要

一实施形态，提供一种包括第1柱部、第2柱部、波长转换层、发光部、树脂部及中间层之半导体发光装置。上述第1柱部系沿第1方向延伸且具有导电性。上述第1柱部系于相对于上述第1方向交叉之第2方向与上述第1柱部相隔，沿上述第1方向延伸，且具有导电性。上述波长转换层系与上述第1柱部及上述第2柱部于上述第1方向相隔。上述发光部包括：第1导电型之第1半导体层，其包括设置于上述第1柱部之至少一部分与上述波长转换层之间之第1半导体部分、及设置于上述第2柱部与上述波长转换层之间之第2半导体部分；第2导电型之第2半导体层，其系设置于上述第2柱部与上述第2半导体部分之间；以及发光层，其系设置于上述第2半导体部分与上述第2半导体层之间，且射出第1光。上述树脂部系覆盖上述第1柱部之沿上述第1方向之侧面、上述第2柱部之沿上述第1方向之侧面、上述发光部之侧面、及上述发光部之上述第1柱部及上述第2柱部侧之面。上述中间层包括与上述第1半导体层及上述波长转换层接触之第1部分、以及与上述树脂部及上述波长转换层接触之第2部分，具有薄于上述第1光之峰波长之厚度，且包含与上述波长转换层中所含之材料不同之材料。

主权项

一种半导体发光装置，其包括：第1柱部，其系沿第1方向延伸且具有导电性；第2柱部，其系于相对于上述第1方向交叉之第2方向与上述第1柱部相隔，沿上述第1方向延伸，且具有导电性；波长转换层，其系于上述第1方向与上述第1柱部及上述第2柱部相隔；发光部，其包括第1导电型之第1半导体层、第2导电型之第2半导体层及发光层，树脂部，其系覆盖上述第1柱部之沿上述第1方向之侧面、上述第2柱部之沿上述第1方向之侧面、上述发光部之侧面、与上述发光部之上述第1柱部及上述第2柱部侧之面；以及中间层，其包括设置于上述第1半导体层及上述波长转换层之间且与上述第1半导体层及上述波长转换层接触之第1部分、及与上述树脂部及上述波长转换层接触之第2部分，且具有薄于上述第1光之峰波长之厚度，并含有与上述波长转换层中所含之材料不同之材料，该第1导电型之第1半导体层包括设置于上述第1柱部之至少一部分与上述波长转换层之间之第1半导体部分、及设置于上述第2柱部与上述波长转换层之间之第2半导体部分，该第2导电型之第2半导体层系设置于上述第2柱部与上述第2半导体部分之间，该发光层系设置于上述第2半导体部分与上述第2半导体层之间，且射出第1光；其中上述中间层之线膨胀系数大于上述第1半导体层之线膨胀
系数，且小于上述波长转换层之线膨胀系数。