发明名称 | 太阳电池的制造方法 | ||
摘要 | 太阳电池的制造方法,其包括下列步骤。首先提供一基板,并于基板上形成一基底电极。之后,于基底电极上形成一铜铟镓硒结晶层。接着,对铜铟镓硒结晶层的表面进行一化学机械研磨制程,以平坦化铜铟镓硒结晶层的表面。之后,于已平坦化的铜铟镓硒结晶层表面上形成一缓冲层。继之,于缓冲层上形成一透明导电层。藉此,本发明之太阳电池的制造方法有助于量产且所制成之太阳电池具有较佳的元件特性。 | ||
申请公布号 | TWI531078 | 申请公布日期 | 2016.04.21 |
申请号 | TW099146612 | 申请日期 | 2010.12.29 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 黄明政;黄明义;林汉涂 |
分类号 | H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/18(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;叶璟宗 | |
主权项 | 一种太阳电池的制造方法,包括:提供一基板,并于该基板上形成一基底电极;于该基底电极上形成一铜铟镓硒结晶层,该铜铟镓硒结晶层具有背向该基底电极的一第一表面,该第一表面的表面能隙为Eg1;对该铜铟镓硒结晶层的该第一表面进行一化学机械研磨制程,以使该铜铟镓硒结晶层的该第一表面平坦化为一第二表面,该第二表面的表面能隙为Eg2,其中(Eg2-Eg1)≧0.26电子伏特(eV);于已平坦化的该铜铟镓硒结晶层的该第二表面上形成一缓冲层;以及于该缓冲层上形成一透明导电层。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |