Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mittels einer Ausrichtungsschicht

摘要

Erste Trenches (162) erstrecken sich von einer Prozessoberfläche (101a) in eine Halbleiterschicht (100a). Eine Ausrichtungsschicht (210) mit Maskenvertiefungen (211) in einer bezüglich der Prozessoberfläche (101) vertikalen Projektion der ersten Trenches (162) ist auf der Prozessoberfläche (101a) gebildet. Seitenwände (212) der Maskenvertiefungen (211) haben einen kleineren Neigungswinkel (α) bezüglich der Prozessoberfläche (101a) als Seitenwände der ersten Trenches (162). Die Maskenvertiefungen (211) sind mit einem Hilfsmaterial (430) gefüllt. Ein Gatetrench (152) für eine Gatestruktur (150) ist in einem Mesaabschnitt (170) der Halbleiterschicht (101a) zwischen den ersten Trenches (162) gebildet, wobei das Hilfsmaterial als eine Ätzmaske (431) verwendet wird.