半导体装置之制造方法

摘要

明提供一种可抑制步骤数增加并且防止半导体晶圆所具有之低介电材料层之龟裂的半导体装置之制造方法。本发明之半导体装置之制造方法包括：于形成有低介电材料层之附有凸点之晶圆上，将依序积层有支撑基材、黏着剂层及热硬化性树脂层而成之保护层形成用膜以热硬化性树脂层作为贴合面进行贴合之步骤；将支撑基材及黏着剂层自热硬化性树脂层剥离之步骤；加热热硬化性树脂层而使其硬化，形成保护层之步骤；以及将附有凸点之晶圆与保护层一起切割之步骤。

主权项

一种半导体装置之制造方法，其特征在于，其包括：于形成有低介电材料层之附有凸点之晶圆上，将依序积层有支撑基材、黏着剂层及热硬化性树脂层而成之保护层形成用膜以上述热硬化性树脂层作为贴合面进行贴合之步骤；将上述支撑基材及上述黏着剂层，自上述热硬化性树脂层剥离之步骤；加热上述热硬化性树脂层而使其硬化，形成保护层之步骤；以及将上述附有凸点之晶圆与上述保护层一起进行切割之步骤。