| 发明名称 |
ゲートコンタクトの形成方法 |
| 摘要 |
化合物半導体装置用のゲートコンタクトの形成方法が提供される。ゲートコンタクトは、ゲートコンタクト部とトップコンタクト部すなわちウィングコンタクト部とから形成されている。その方法は、所期の動作周波数に基づいてゲートコンタクト部のサイズを保持しながらウィングコンタクト部のサイズの調整を可能にする。これは、１つ以上の付加的な導電物質プロセスをウィングコンタクト部に施すことで、ゲートコンタクト部の長さを維持して装置の動作周波数を維持したまま、ウィングコンタクト部の断面積を増大してゲート抵抗を低下させることによって達成される。 |
| 申请公布号 |
JP2016511942(A) |
申请公布日期 |
2016.04.21 |
| 申请号 |
JP20150560399 |
申请日期 |
2014.03.04 |
| 申请人 |
ノースロップ グラマン システムズ コーポレイションＮＯＲＴＨＲＯＰ ＧＲＵＭＭＡＮ ＳＹＳＴＥＭＳ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ |
发明人 |
ナンバ、キャロル オー．;リウ、ポ−シン;パウスト、スミコ;スモーチコバ、イオウリア;ヴォイトヴィチ、マイケル;グルンバッヒャー、ロナルド |
| 分类号 |
H01L21/338;H01L21/28;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/778;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/338 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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