BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE MIT EINEM THERMISTOR MIT NEGATIVEM TEMPERATURKOEFFIZIENTEN

摘要

Ein Ausführungsbeispiel eines IGBT (100) umfasst einen Emitteranschluss (E) an einer ersten Oberfläche (103) eines Halbleiterkörpers (105). Der IGBT (100) umfasst weiterhin einen Kollektoranschluss (C) an einer zweiten Oberfläche (107) des Halbleiterkörpers (105). Eine erste Zone (108) eines ersten Leitfähigkeitstyps ist in dem Halbleiterkörper (105) zwischen den ersten und zweiten Oberflächen (103, 107). Eine Kollektorinjektionsstruktur (110) grenzt an die zweite Oberfläche (107) an, wobei die Kollektorinjektionsstruktur (110) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ist und einen ersten Teil (1101) sowie einen zweiten Teil (1102) unter einem ersten lateralen Abstand (d1) voneinander aufweist. Der IGBT (100) umfasst weiterhin einen Thermistor mit negativem Temperaturkoeffizienten angrenzend an die erste Zone (108) in einem Gebiet (112) zwischen den ersten und zweiten Teilen (1101, 1102).