发明名称 |
具有矽穿中介层/矽穿孔应用之非挥发性记忆体设备 |
摘要 |
明公开一种记忆体设备及形成该设备的方法。该设备包括:基板,具有阵列表面及非阵列表面;记忆体阵列,具有藉由在第一方向的第一导体及在第二方向的第二导体而互连的复数个记忆体单元。该记忆体阵列设置在基板的阵列表面上。该记忆体阵列还包含配置在基板中的矽穿孔(TSV)接点。该TSV接点从阵列表面延伸至非阵列表面,使非阵列表面至阵列具有电性连接。
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申请公布号 |
TWI531048 |
申请公布日期 |
2016.04.21 |
申请号 |
TW103108608 |
申请日期 |
2014.03.12 |
申请人 |
格罗方德半导体私人有限公司 |
发明人 |
龚顺强;陈元文;王磊;刘威;易万兵;欧沙德 詹 |
分类号 |
H01L27/105(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/105(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
主权项 |
一种记忆体设备,包括:基板,具有阵列表面及非阵列表面;记忆体阵列,具有藉由在第一方向的第一导体及在第二方向的第二导体而互连的复数个记忆体单元,该记忆体阵列设置在记忆体介电层中,该记忆体介电层设置在该基板的该阵列表面上并与该阵列表面接触;以及矽穿孔(TSV)接点,配置在该基板中,该矽穿孔接点从该阵列表面延伸至该非阵列表面,该矽穿孔接点使该非阵列表面至该阵列具有电性连接。
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地址 |
新加坡 |