发明名称 |
电阻性记忆体装置,初始化方法,及包含该电阻性记忆体装置之电子装置 |
摘要 |
明提供一种电阻性记忆体装置及初始化方法。该电阻性记忆体装置包含连接于位元线与一第一板之间的一第一群组电阻性记忆体单元及连接于位元线与一第二板之间的一第二群组电阻性记忆体单元。将第一初始化电压及第二初始化电压分别施加至与该电阻性记忆体单元之一正常操作相关联之一正常路径外的该第一板及该第二板。
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申请公布号 |
TWI531031 |
申请公布日期 |
2016.04.21 |
申请号 |
TW100132318 |
申请日期 |
2011.09.07 |
申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
朴哲佑;白寅圭;孙东贤;黄泓善 |
分类号 |
H01L21/8242(2006.01);H01L27/108(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8242(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
主权项 |
一种电阻性记忆体装置,其包含:一记忆体单元阵列,其系根据复数个字线及复数个位元线配置电阻性记忆体单元,其中一第一群组电阻性记忆体单元系连接于该等复数个位元线与一第一板之间,及一第二群组电阻性记忆体单元系连接于该等复数个位元线与一第二板之间;一第一初始化衬垫,其系在一初始化操作期间自在该电阻性记忆体装置之外的一初始化装置接收一第一初始化电压,且将该第一初始化电压提供至该第一板;一第二初始化衬垫,其系在该初始化操作期间自该初始化装置接收一第二初始化电压,且将该第二初始化电压提供至该第二板,其中该第一初始化电压及该第二初始化电压系分别施加至与该电阻性记忆体单元之一正常操作相关联之一正常路径外的该第一板及该第二板。
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地址 |
南韩 |