具有金属闸极之半导体元件及其制作方法

摘要

具有金属闸极之半导体元件之制作方法，该方法首先提供一基底，该基底表面形成有一第一半导体元件与一第二半导体元件，该第一半导体元件包含一第一闸极沟渠，该第二半导体元件包含一第二闸极沟渠。接下来，于该第一闸极沟渠与该第二闸极沟渠内分别形成一第一功函数金属层与一蚀刻停止层。本发明所提供之制作方法更包含于该第二闸极沟渠内形成一金属层，该金属层包含之材料与该第一功函数金属层相同。而在形成该金属层之后，系于该第一闸极沟渠与该第二闸极沟渠内形成一填充金属层，以于该第一闸极沟渠内形成一第二功函数金属层。

主权项

一种具有金属闸极之半导体元件之制作方法，包含有：提供一基底，该基底表面形成有一第一半导体元件与一第二半导体元件，该第一半导体元件包含一第一闸极沟渠，且该第二半导体元件包含一第二闸极沟渠；于该第一闸极沟渠与该第二闸极沟渠内分别形成一第一功函数金属层；于该第一闸极沟渠与该第二闸极沟渠内分别形成一蚀刻停止层；于该第一闸极沟渠与该第二闸极沟渠内形成一金属层，且该金属层包含之材料与该第一功函数金属层相同；以及于该第一闸极沟渠与该第二闸极沟渠内形成一填充金属层，以分别于该第一闸极沟渠与该第二闸极沟渠内形成一第二功函数金属层。