高度なナノメートルフラッシュメモリのダイナミックプログラミング

摘要

高度なナノメートルフラッシュメモリセルをプログラムするための改善された方法及び装置が開示され、一組の電流ミラー源（１１０、１１１、１１２、１１３）の各々は、いくつかの組のスイッチ（１２０〜１２３、１３０〜１３３、１４０〜１４３、１５０〜１５３）を介して対応する組のビット線（１６０、１７０、１８０、１９０）のうちの１つに順番に接続される。これは、各ビット線に供給される時間平均プログラミング電流を同一にし、例えば、電流ミラー源（１１０〜１１３）を形成するトランジスタの製作におけるプロセス変動による、プログラミング電流の変動を低減させる。