Fin-Feldeffekttransistor (FinFET) -Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Es werden eine Fin-Feldeffekttransistor(FinFET)-Bauelementstruktur und ein Verfahren zum Ausbilden der FinFET-Bauelementstruktur geschaffen. Die FinFET-Bauelementstruktur umfasst ein Substrat und eine Fin-Struktur, die sich über dem Substrat erstreckt. Die FinFET-Struktur umfasst eine Epitaxialstruktur, die auf der Fin-Struktur ausgebildet ist, und die Epitaxialstruktur weist eine erste Höhe auf. Die FinFET-Struktur umfasst auch Fin-Seitenwandspacer, die angrenzend an die Epitaxialstruktur ausgebildet sind. Die Seitenwandspacer weisen eine zweite Höhe auf, wobei die erste Höhe größer als die zweite Höhe ist, und die Fin-Seitenwandspacer sind eingerichtet, ein Volumen und die erste Höhe der Epitaxialstruktur zu regulieren.