半导体晶圆的连续处理方法

摘要

明涉及半导体晶圆的连续处理方法，根据具备多个腔室，并具备围绕腔室外部的外部机体的装置，处理晶圆的半导体晶圆连续处理方法，包括：第1步骤，多个腔室由第1至第5腔室构成，在第1腔室装载晶圆后，注入惰性气体进行净化；第2步骤，移送完成第1步骤的晶圆至第2腔室，在第2腔室内部注入制程气体后，加热晶圆；第3步骤，移送完成第2步骤的晶圆至第3腔室，在第3腔室内部注入制程气体后，加热晶圆；第4步骤，移送完成第3步骤的晶圆至第4腔室，第4腔室的内部在大气压以下的压力状态，加热晶圆；第5步骤，移送完成第4步骤的晶圆至第5腔室，在第5腔室的内部注入制程气体后，加热晶圆；第6步骤，移送完成第5步骤的晶圆至第1腔室，冷却晶圆后卸载至外部，使其他晶圆装载至在第1腔室。本发明为使半导体连续处理装置的回流装置的工作站个数减少，将制程步骤单纯化，进而具有缩减制程时间、提高生产，并且缩减回流装置的大小且减少费用的效果。

主权项

一种半导体晶圆的连续处理方法，根据具有多个腔室，且具有围绕所述腔室外部的外部机体的装置，处理晶圆的半导体晶圆的连续处理方法，包括：第1步骤，所述多个腔室由第1至第5腔室构成，在所述第1腔室装载晶圆后，注入惰性气体进行净化；第2步骤，移送完成所述第1步骤的所述晶圆至第2腔室，在所述第2腔室内部注入制程气体后，加热晶圆；第3步骤，移送完成所述第2步骤的所述晶圆至第3腔室，在所述第3腔室内部注入制程气体后，加热晶圆；第4步骤，移送完成所述第3步骤的所述晶圆至第4腔室，所述第4腔室内部在大气压以下的压力状态，加热所述晶圆；第5步骤，移送完成所述第4步骤的所述晶圆至第5腔室，在所述第5腔室的内部注入制程气体后，加热晶圆；以及第6步骤，移送完成所述第5步骤的所述晶圆至所述第1腔室，冷却所述晶圆后卸载至外部，使其他晶圆装载在所述第1腔室；其中，所述第1至第5腔室包括：基座，设置于支撑并固定晶圆，并在所述晶圆施加热；下部机壳，固定并设置在所述基座的外侧，在所述晶圆的下部形成隔离的制程空间；上部机壳，用于在所述晶圆的上部形成隔离的可以上下移动的制程空间；转盘，设置在所述上部机壳与下部机壳之间，形成使所述基座的上部露出的孔，为了在所述多个腔室之间移送所述晶圆而旋转，并且在所述基座上部使所述晶圆上下移动；以及安放环，使其可向上脱离地插入所述孔，以装载所述晶圆，所述上部机壳的下端部向下移动，在所述晶圆的上部与下部形成隔离的制程空间的状态，可进行所述晶圆的处理。