发明名称 |
薄膜电晶体、制造其之方法、具有薄膜电晶体之有机发光二极体显示装置及制造其之方法 |
摘要 |
薄膜电晶体(thin film transistor,TFT)、一种制造其之方法、一种具有其之有机发光二极体(organic light emitting diode,OLED)显示装置并且一种制造该有机发光二极体显示装置之方法。该TFT包括一基板;一缓冲层,配置在该基板上;一半导体层,配置在该缓冲层上;一闸极绝缘层,配置在该半导体层上;一闸极电极,配置在该闸极绝缘层上并且对应于该半导体层;以及源极和漏极电极,其与该闸极电极绝缘并且电气连接到该半导体层。在这里,该半导体层包括多个藉由50μm或以上的距离相互分离的晶种区域。
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申请公布号 |
TWI531072 |
申请公布日期 |
2016.04.21 |
申请号 |
TW099131171 |
申请日期 |
2010.09.15 |
申请人 |
三星显示器有限公司 |
发明人 |
朴容佑 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/32(2006.01);H01L51/56(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
李国光;张仲谦 |
主权项 |
一种制造薄膜电晶体的方法,包括:提供一基板;形成一缓冲层在该基板上;形成一非晶矽层在该缓冲层上;形成一覆盖层在该非晶矽层上,该覆盖层具有一个或多个的孔洞,该孔洞暴露该非晶矽层;以电浆处理该基板;提供一金属催化剂溶液到该孔洞;形成该金属催化剂溶液之后,烧结和退火该基板;将该基板退火以将非晶矽层结晶成一多晶矽层;移除该覆盖层;藉由将该多晶矽层结晶来形成一半导体层;形成一闸极绝缘层在该基板上;形成一闸极电极在该闸极绝缘层上;以及形成与该闸极电极绝缘并连接到该半导体层的源极和漏极的电极。
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地址 |
南韩 |