气密晶圆级封装方法及由其方法所制成的气密晶圆级封装结构

摘要

晶圆级封装方法包含：(a)于封盖晶圆的第一表面形成数个环形垫及数个由各环形垫围绕的接合垫，各接合垫内形成有一分别由一内环面所定义的凹槽；(b)于封盖晶圆的第一表面侧形成阻障层；(c)在阻障层上形成由非晶矽或非晶锗所构成的第一接合层；(d)藉第一接合层与元件晶圆之第一表面上的图案化第二接合层共晶接合，元件晶圆之第一表面具有一与部分图案化第二接合层电连接的电子元件；(e)自相反于封盖晶圆之第一表面的第二表面局部移除封盖晶圆以定义出外表面并使各凹槽对应形成穿孔；及(f)于封盖晶圆的外表面之各穿孔处覆盖金属导电层以电连接于图案化第二接合层。

主权项

一种气密晶圆级封装方法，包含以下步骤：(a)一封盖晶圆具有相反设置的一第一表面及一第二表面，于该封盖晶圆的第一表面形成多数个环形垫及多数个由各环形垫所围绕的接合垫，其中，各接合垫内形成有一凹槽，且各凹槽是分别由一内环面所定义而成；(b)于该步骤(a)后，于该封盖晶圆的第一表面侧形成一阻障层以覆盖各内环面、各接合垫与各环形垫；(c)于该步骤(b)后，在该阻障层上形成一第一接合层以覆盖各内环面、各接合垫与各环形垫，该第一接合层是由非晶矽或非晶锗所构成；(d)于该步骤(c)后，藉由该第一接合层与一元件晶圆之一第一表面上的图案化第二接合层形成共晶接合，该元件晶圆之第一表面具至少一个电子元件并与部分该图案化第二接合层电连接；(e)自该封盖晶圆的第二表面局部地移除该封盖晶圆以使各凹槽分别对应形成一穿孔并定义出一外表面；及(f)于步骤(e)后，于该封盖晶圆的外表面之各穿孔处对应覆盖一金属导电层，以使各金属导电层分别电连接于该元件晶圆的图案化第二接合层。