小面积电子抹除式可复写唯读记忆体阵列的操作方法

摘要

小面积电子抹除式可复写唯读记忆体阵列的操作方法，此小面积电子抹除式可复写唯读记忆体阵列包含复数位元线、字线、共源线与子记忆体阵列，此些位元线区分为复数组位元线，字线包含第一字线，共源线包含第一共源线，每一子记忆体阵列包含与二组位元线、一字线与一共源线连接之一第一、第二、第三、第四记忆晶胞，其中第一、第二记忆晶胞对称配置，第三、第四记忆晶胞对称配置，且第一、第二记忆晶胞与第三、第四记忆晶胞系以第一共源线分别对称配置。本发明系可一次选择所有操作记忆晶胞，并利用特殊之偏压设定来达成大量记忆晶胞的写入及抹除。

主权项

一种小面积电子抹除式可复写唯读记忆体阵列的操作方法，该小面积电子抹除式可复写唯读记忆体阵列包含：复数条平行之位元线，系区分为复数组位元线，该些组位元线包含一第一组位元线与一第二组位元线；复数条平行之字线，系与该些位元线互相垂直，并包含一第一字线；复数条平行之共源线，系与该些字线互相平行，并包含一第一共源线；及复数子记忆体阵列，每一该子记忆体阵列连接二组该位元线、一该字线与一该共源线，每一该子记忆体阵列包含：一第一记忆晶胞，系连接该第一组位元线、该第一共源线与该第一字线；以及一第二记忆晶胞，系连接该第二组位元线、该第一共源线与该第一字线，该第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并位于该第一共源线之同一侧；一第三记忆晶胞，系连接该第一组位元线、该第一共源线与该第一字线，并以该第一共源线为轴与该第一记忆晶胞对称配置；及一第四记忆晶胞，系连接该第二组位元线、该第一共源线与该第一字线，并以该第一共源线为轴与该第二记忆晶胞对称配置，又该第三、第四记忆晶胞互相对称配置，且与该第一、第二记忆晶胞位于该第一共源线之相异两侧，其中，该第一、第二、第三、第四记忆晶胞皆包含位于P型基板或P型井区中之N型场效电晶体，且该第一、第二、第三、第四记忆晶胞皆作为一操作记忆晶胞，则在选取所有该操作记忆晶胞进行操作时，该操作方法之特征在于：于所有该操作记忆晶胞连接之该P型基板或该P型井区施加一基底电压Vsub，且于所有该操作记忆晶胞连接之该位元线、该字线、该共源线分别施加一位元电压Vb、一字电压Vw、一共源电压Vs，并满足下列条
件：写入时，满足Vsub=接地；Vs=Vb=0；及Vw=高压(HV)；及抹除时，满足Vsub=接地；Vs=Vb=高压；及Vw=浮接。