电阻式记忆体及其修补方法

摘要

式记忆体及其修补方法包括：对电阻式记忆体执行多数个设定-重置动作循环；并且，侦测电阻式记忆体在设定-重置动作循环后是否产生过设定状态；以及，在当过设定状态发生时，对电阻式记忆体执行加强重置动作，其中，加强重置动作藉由在加强重置时间区间中提供加强重置电压来进行，加强重置时间区间与加强重置电压的乘积大于重置时间区间与该重置电压的乘积。

主权项

一种电阻式记忆体的修补方法，包括：对该电阻式记忆体执行多数个设定-重置动作循环，各该设定-重置动作循环包括一设定动作以及一重置动作，其中，藉由在一设定时间区间中提供一设定电压至该电阻式记忆体以进行该设定动作，藉由在一重置时间区间中提供一重置电压至该电阻式记忆体以进行该重置动作；侦测该电阻式记忆体在该些设定-重置动作循环后是否产生一过设定状态；以及在当该过设定状态发生时，对该电阻式记忆体执行一加强重置动作，其中，该加强重置动作藉由在一加强重置时间区间中提供一加强重置电压来进行，该加强重置时间区间与该加强重置电压的乘积大于该重置时间区间与该重置电压的乘积，且该加强重置时间区间的长度大于该重置时间区间的长度，该加强重置电压小于该重置电压。