| 发明名称 |
蚀刻液及使用此蚀刻液的半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
明旨在提供一种蚀刻液及使用此蚀刻液的半导体装置之制造方法，用于制造使用有包含电极之半导体基板之半导体装置，可选择性地不蚀刻镍而蚀刻铜。 |
| 申请公布号 |
TWI530589 |
申请公布日期 |
2016.04.21 |
| 申请号 |
TW099145796 |
申请日期 |
2010.12.24 |
| 申请人 |
三菱瓦斯化学股份有限公司 |
发明人 |
细见彰良 |
| 分类号 |
C23F1/18(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
C23F1/18(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋;周良吉 |
| 主权项 |
一种蚀刻液，可选择性地不蚀刻镍而蚀刻铜，用于制造采用具有电极之半导体基板的半导体装置，该蚀刻液包含过氧化氢、有机酸与有机膦酸，有机酸系选自于枸橼酸及苹果酸中至少一种酸，该过氧化氢含量为0.75~10质量%，该有机酸含量为0.75~25质量%，且该有机膦酸含量为0.0005~1质量%。
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| 地址 |
日本 |
