切割胶带一体型半导体背面用薄膜

摘要

明之倒装晶片型半导体背面用薄膜之特征在于：其系用以形成于倒装晶片连接于被接着体上之半导体元件之背面者，且热硬化后之于23℃下之拉伸储存弹性模数为10GPa以上、50GPa以下。根据本发明之倒装晶片型半导体背面用薄膜，由于形成于倒装晶片连接于被接着体上之半导体元件之背面，故而可实现保护该半导体元件之功能。又，本发明之倒装晶片型半导体背面用薄膜由于热硬化后之于23℃下之拉伸储存弹性模数为10GPa以上，故而可有效地抑制或防止于被接着体上倒装晶片连接半导体元件时所产生的半导体元件之翘曲。

主权项

一种切割胶带一体型半导体背面用薄膜，其系将用以形成于倒装晶片连接于被接着体上之半导体元件之背面之倒装晶片型半导体背面用薄膜积层于切割胶带上，且上述倒装晶片型半导体背面用薄膜系由至少环氧树脂及丙烯酸系树脂形成；上述倒装晶片型半导体背面用薄膜，其热硬化后之于23℃下之拉伸储存弹性模数为10GPa以上、50GPa以下；上述切割胶带系于基材上积层黏着剂层之构造；上述倒装晶片型半导体背面用薄膜积层于上述黏着剂层上。