根据非晶化制程及热处理于孔洞中形成有嵌入式应变诱导材料之电晶体

摘要

了并入应变诱导性半导体材料而在孔洞中形成有嵌入式应变诱导材料的电晶体时，在半导体装置的主动区域中形成孔洞时，可藉由使用非晶化制程及热处理得到改善之孔洞形状，以便选择性地修饰主动区域暴露部分的蚀刻行为，并调整非晶区域的形状。如此，孔洞的基本配置可经调整而具有高度的弹性。因此，可改良应变诱导技术的功效。

主权项

一种形成电晶体之方法，系包括：在包括有结晶半导体基材料之主动区域上方形成电晶体的闸极电极结构；在邻近于该闸极电极结构的该主动区域中形成非晶区域；进行热处理以使该非晶区域部分地再结晶化；在该热处理后对该结晶半导体基材料选择性蚀刻该部分地再结晶化非晶区域，以在该主动区域中形成孔洞；以及在该孔洞中形成应变诱导性半导体材料以诱导该电晶体之通道区域中的应变。