记忆元件及记忆装置

摘要

明之记忆元件系在藉由利用垂直磁异向性之磁化之方向之变化而进行资讯记忆之ST-MRAM中，谋求写入电流之降低及热稳定性之提高，且谋求防止电路之复杂化与读出速度之下降。该记忆元件包含：于膜面具有垂直磁化，且磁化之方向相对于资讯而变化之记忆层；成为上述记忆层中所记忆之资讯之基准之于膜面具有垂直磁化之磁化固定层；及由设置于上述记忆层与上述磁化固定层之间的非磁性体而成之绝缘层；且，利用随着于具有上述记忆层、上述绝缘层、及上述磁化固定层之层构造之积层方向流动之电流而产生之自旋转矩磁化反转，使上述记忆层之磁化反转，藉此进行资讯之记忆，且上述记忆层系以具有磁性层与导电性氧化物之积层构造之方式而构成。藉由于记忆层采用磁性层与氧化物层之积层构造而诱发垂直磁异向性，从而可谋求写入电流之降低及热稳定性之提高，再者，藉由使用导电性氧化物作为该氧化物，使读出时无助于穿隧磁阻效应之电阻成分变小，从而可谋求防止电路之复杂化与读出速度之下降。

主权项

一种记忆元件，其包含：于膜面具有垂直磁化，且磁化之方向相对于资讯而变化之记忆层；成为上述记忆层中所记忆之资讯之基准之于膜面具有垂直磁化之磁化固定层；及由设置于上述记忆层与上述磁化固定层之间的非磁性体而成之绝缘层；利用随着于包含上述记忆层、上述绝缘层、及上述磁化固定层之层构造之积层方向流动之电流而产生之自旋转矩磁化反转，使上述记忆层之磁化反转，藉此进行资讯之记忆；上述记忆层具有磁性层与导电性氧化物之积层构造；且上述导电性氧化物系以ReO3、RuO2、SnO2、CoTiO、LiTi2O4、LiV2O4之任一者构成。