积体式含鳍部的场效电晶体及其制作方法

摘要

积体式含鳍部的场效电晶体(FinFET)及在主体晶圆上制作此种装置之方法，其中，在浅沟槽隔离(shallow trench isolation，STI)区域之上具有EPI界定鳍部高度。FinFET通道覆盖在半导体主体内之STI区域上，但鳍部延伸超越STI区域而进入植入于半导体主体内之源极和汲极区域中。有了主体源极和汲极区域，可提供减少之外部FinFET电阻，并且，有了延伸进入主体源极和汲极区域之鳍部，可在知的绝缘体上覆矽(silicon on insulator，SOI)装置上提供改善的热性能。

主权项

一种积体式含鳍部的场效电晶体(FinFET)，包括：主体区域；配置在该主体区域之第一部分内之复数个实质平行之浅沟槽隔离(STI)区域；复数个源极和汲极区域，各该源极和汲极区域配置在该主体区域之第二部分内之该等复数个STI区域之邻接STI区域之间；复数个鳍部区域，配置实质上垂直于该复数个STI区域，而各该鳍部区域包含第一部分，配置在该复数个STI区域之一部分之上，以及第二部分，配置在该复数个源极和汲极区域之一部分内；以及复数个闸极区域，各该闸极区域配置在该复数个鳍部区域之各自部分和该复数个STI区域之各自其中一个之上，并且从该复数个源极和汲极区域之邻接区域横向离开。