侧向双载子接面电晶体及其制造方法

摘要

侧向双载子接面电晶体，包括基底、井区、区域、至少一淡掺杂区、第一掺杂区与第二掺杂区。基底具有第一导电型。井区具有第二导电型，位于所述基底中。区域位于所述井区中。至少一淡掺杂区，位于所述区域下方的所述井区中。第一掺杂区与第二掺杂区，具有所述第一导电型，位于所述区域两侧的所述井区中，其中所述第一掺杂区连接阴极。所述第二掺杂区连接阳极，其中所述至少一淡掺杂区的掺杂浓度低于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂浓度，且低于所述井区的掺杂浓度。

主权项

一种侧向双载子接面电晶体，包括：一基底，具有一第一导电型；一井区，具有一第二导电型，位于该基底中；一区域，位于该井区中；至少一淡掺杂区，位于该区域下方的该井区中；以及一第一掺杂区与一第二掺杂区，具有该第一导电型，位于该区域两侧的该井区中，其中该第一掺杂区连接一阴极；该第二掺杂区连接一阳极，其中该至少一淡掺杂区的掺杂浓度低于该第一掺杂区与该第二掺杂区的掺杂浓度，且低于该井区的掺杂浓度。