具矽化物之半导体元件之制造方法

摘要

半导体元件之制造方法。首先提供一基板，至少具有一图案化含矽层于基板上和间隙壁邻接图案化含矽层。形成一金属层于基板上且覆盖图案化含矽层和间隙壁。之后形成一覆盖层于金属层上。进行第一快速热制程(RTP1)以至少使金属层之一部份与基板反应而于邻近间隙壁处形成一过渡矽化物。之后，移除覆盖层和金属层没有反应的部分。形成具有第一张应力S1之一第一氮化层于基板上。然后，进行第二快速热制程(RTP2)以将过渡矽化物转化为矽化物，并将第一氮化层转化为具有第二张应力S2之一第二氮化层，其中S2大于S1。

主权项

一种半导体元件之制造方法，包括：提供一基板，至少具有一图案化含矽层(patterned silicon-containing layer)于该基板上和复数间隙壁(spacers)邻接该图案化含矽层；形成一金属层于该基板上，且该金属层覆盖该图案化含矽层和该些间隙壁；形成一覆盖层(capping layer)于该金属层上；进行一第一快速热制程(first rapid thermal process，RTP1)以至少使该金属层之一部份与该基板反应而于邻近该些间隙壁处形成一过渡矽化物(transitional silicide)；移除该覆盖层和该金属层没有反应的部分；形成一第一氮化层(first nitride film)于该基板上，且该第一氮化层具有一第一张应力S1；和进行一第二快速热制程(second rapid thermal process，RTP2)以将该过渡矽化物转化为一矽化物，并将该第一氮化层转化为一第二氮化层，该第二氮化层具有一第二张应力S2，其中该第二张应力S2大于该第一张应力S1。