一种发光二极管芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。芯片包括：衬底、依次层叠在衬底上的n型层、多量子阱层、电子阻挡层、p型层和透明导电层、以及设于透明导电层上的p型电极和设于n型层上的n型电极，多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与量子垒层交替生长的量子阱层，电子阻挡层和与电子阻挡层接触的一个量子垒层的厚度总和不大于50nm，p型层内设有多个孔，孔从p型层的与透明导电层接触的表面延伸至p型层的与电子阻挡层接触的表面，孔的孔壁上以及电子阻挡层的位于孔内的表面上设有金属纳米颗粒层，孔内还设有覆盖在金属纳米颗粒层的表面上的第一绝缘介质层。本发明通过上述技术方案，增强了芯片内量子效率和发光效率。

主权项

一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，并在所述衬底上依次层叠生长n型层、多量子阱层、电子阻挡层和p型层，其中，所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与所述量子垒层交替生长的量子阱层，所述电子阻挡层和与所述电子阻挡层接触的一个所述量子垒层的厚度总和不大于50nm；在所述p型层上刻蚀多个孔，所述孔从所述p型层刻蚀至所述p型层的与所述电子阻挡层接触的表面；在所述孔的孔壁上以及所述电子阻挡层的位于所述孔内的表面上沉积金属纳米颗粒层；在所述金属纳米颗粒层的表面覆盖第一绝缘介质层；在所述p型层上沉积透明导电层，并在所述透明导电层上设置p型电极，在所述n型层上设置n型电极；其中，所述在所述p型层上刻蚀多个孔，具体包括：在所述p型层上涂布一层聚苯乙烯纳米颗粒，所述聚苯乙烯纳米颗粒的粒径为500～1000nm；采用氧离子轰击所述p型层上的聚苯乙烯纳米颗粒，以使所述聚苯乙烯纳米颗粒的粒径减小至200～300nm；在所述p型层和所述聚苯乙烯纳米颗粒上沉积金属掩膜层；剥离覆盖在所述聚苯乙烯纳米颗粒上的金属掩膜层和所述聚苯乙烯纳米颗粒，得到位于所述p型层上的带有孔的网状金属掩膜层；以所述网状金属掩膜层为掩膜在所述p型层上刻蚀孔，所述孔从所述p型层刻蚀至所述p型层的与所述电子阻挡层接触的表面；其中，以所述网状金属掩膜层为掩膜在所述p型层上刻蚀孔，包括：采用氯气、氩气和氧气的混合气体，以网状金属掩膜层为掩膜刻蚀所述p型层，以在所述p型层上刻蚀出孔；所述氯气和所述氩气的流量比为3:1，所述氯气和所述氩气之和与所述氧气的流量比为20:1；其中，所述p型层由GaN制成。