一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法

摘要

本发明公开了一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法，首先采用固相烧结法制备BMN即Bi_1.5MgNb_1.5O₇靶材和ZnO靶材，以铜箔为衬底，利用磁控溅射沉积技术，使用Ar作为溅射气体，在铜箔上进行沉积得到厚度为30～60nm的ZnO薄膜，再沉积得到厚度为150-300nm的Bi_1.5MgNb_1.5O₇薄膜，再利用掩膜版在Bi_1.5MgNb_1.5O₇薄膜上面制备金属电极，制得柔性BMN薄膜压控变容管。本发明压控变容管的调谐率适中(≥25％，测试频率为1MHz)，且器件稳定性好，为通讯和柔性电子设备的开发和应用提供了优良的电子元器件基础。

主权项

一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法，具有如下步骤：(1)采用固相烧结法制备BMN靶材和ZnO靶材：按Bi_1.5MgNb_1.5O₇的化学计量比，称取原料Bi₂O₃、MgO和Nb₂O₅，充分混合后压制成型，于1150℃烧制Bi_1.5MgNb_1.5O₇及BMN靶材；将ZnO粉末压制成型，于1100℃烧制ZnO靶材；(2)将清洁干燥的铜箔衬底放入磁控溅射样品台上；(3)将磁控溅射系统的本底真空抽至P<7.0×10^‑6Torr，然后加热衬底至500～800℃；(4)在步骤(3)系统中，使用Ar作为溅射气体，溅射功率为50～200W，在铜箔上进行沉积得到厚度为30～60nm的ZnO薄膜(5)步骤(4)完成后，使用Ar和O₂作为溅射气体，溅射功率为50～200W，在铜箔上进行沉积得到厚度为150‑300nm的Bi_1.5MgNb_1.5O₇薄膜；待衬底温度降至100℃以下时，取出样品；(6)步骤(5)完成后，在Bi_1.5MgNb_1.5O₇薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，制得柔性Bi_1.5MgNb_1.5O₇即BMN薄膜压控变容管。