发明名称 制备ZnO/ZnSe微纳米异质周期结构功能材料的方法
摘要 制备ZnO/ZnSe微纳米异质周期结构功能材料的方法。本发明属于半导体异质结构功能材料的技术领域。在基底硅片上平行放置两个电极,在电极之间滴加含有ZnSO<sub>4</sub>和SeO<sub>2</sub>的电解液,盖上玻璃片,放置于保温室,利用保温室的TEC使硅片与玻璃片之间形成一个布满两电极之间的冰层,在保温室再放置30分钟,然后在两电极之间加周期性方波电压沉积30分钟,将所得产物用去离子水清洗并在200-500℃加热2h氧化,得到ZnO/ZnSe微纳米异质周期结构功能材料。本发明操作简单,制备的材料生长面积可控、周期性可调。
申请公布号 CN105502285A 申请公布日期 2016.04.20
申请号 CN201510998129.0 申请日期 2015.12.28
申请人 吉林大学 发明人 张明喆;肖传海
分类号 B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;H01L31/0328(2006.01)I 主分类号 B82Y30/00(2011.01)I
代理机构 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人 王恩远
主权项 一种制备ZnO/ZnSe微纳米异质周期结构功能材料的方法,其步骤为:在基底硅片上平行放置两个厚度为30μm的电极,电极间距为1cm,在电极之间滴加含有ZnSO<sub>4</sub>和SeO<sub>2</sub>的电解液,ZnSO<sub>4</sub>浓度为20~50mM,SeO<sub>2</sub>浓度为10mM,盖上玻璃片,放置在与循环水浴连接的带热电制冷器的保温室中,循环水浴的温度设定为‑2.2~‑3.0℃;热电制冷器两端加+3V电压,热电制冷器放置的方向是两端加正电压时朝向基底硅片的面是制冷面;当硅片与玻璃片之间形成一个冰层时,把热电制冷器两端的电压改为‑0.3V,使冰层逐渐融化,通过显微镜观察,当冰层只剩下一个直径为0.1mm的冰核时停止加电压,冰核逐渐变大直至布满两电极之间后在保温室再放置30分钟,然后在两电极之间加周期性方波电压,沉积30分钟后取出所得产物用去离子水清洗并在200‑500℃范围内加热2h氧化,得到ZnO/ZnSe微纳米异质周期结构功能材料。
地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号