发明名称 |
半导体元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体元件的制造方法。于基底上形成多个栅极结构,并于相邻两个栅极结构之间形成第一介电层;第一介电层的上表面低于栅极结构的上表面,且具有凹槽;再形成覆盖栅极结构、第一介电层与凹槽的中间层,并于其中形成多个开口;每一开口位于相邻两个栅极结构之间,并经由开口移除第一介电层;接着,于中间层上形成第二介电层,以在相邻两个栅极结构之间定义出空气间隙。本发明还提出一种半导体元件。 |
申请公布号 |
CN105514100A |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201410497745.3 |
申请日期 |
2014.09.25 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
张佩琪;郑俊民 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种半导体元件的制造方法,包括:于一基底上形成多个栅极结构;于相邻两个栅极结构之间形成一第一介电层,该第一介电层的上表面低于这些栅极结构的上表面,且具有一第一凹槽;于基底上形成一中间层,覆盖这些栅极结构、该第一介电层与这些第一凹槽;于该中间层中形成多个开口,每一开口位于相邻两个栅极结构之间;经由这些开口,移除相邻两个栅极结构之间的该第一介电层;以及于该中间层上形成一第二介电层,其中在相邻两个栅极结构之间定义出一空气间隙。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |