具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底表面形成硬质掩模层并光刻刻蚀定义出栅极形成区域；对栅极形成区域的半导体衬底进行第一次各向异性刻蚀形成沟槽，进行第二次各向同性刻蚀将沟槽的宽度扩大到大于硬质掩模层所定义的开口宽度；形成栅介质层和多晶硅栅；对多晶硅栅进行回刻；以硬质掩模层为掩模对沟槽底部的半导体衬底进行第三次各向异性刻蚀形成深沟槽；在深沟槽的侧面和底部表面以及多晶硅栅的侧面同时形成第一氧化层；进行源多晶硅生长。本发明能形成侧壁多晶硅结构的多晶硅栅，能提高栅源隔离氧化层的厚度、减少栅源漏电。

主权项

一种具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成硬质掩模层，采用光刻工艺定义出栅极形成区域，采用刻蚀工艺将所述栅极形成区域的所述硬质掩模层去除；步骤二、以刻蚀后的所述硬质掩模层为掩模对所述半导体衬底进行第一次各向异性刻蚀形成沟槽，在所述第一次各向异性刻蚀之后进行对所述半导体衬底进行第二次各向同性刻蚀，所述第二次各向同性刻蚀将所述沟槽的宽度刻蚀到大于所述硬质掩模层所定义的开口宽度；步骤三、在所述沟槽的侧面和底部表面依次形成栅介质层和多晶硅栅，位于所述沟槽两个侧面的所述多晶硅栅之间具有间距，所述多晶硅栅也延伸到所述沟槽外的所述硬质掩模层表面；步骤四、对所述多晶硅栅进行回刻，该回刻工艺将所述沟槽底部表面和所述沟槽外部的所述硬质掩模层表面的所述多晶硅栅去除，所述回刻工艺后所述沟槽侧面的所述多晶硅栅保留；步骤五、以所述硬质掩模层为掩模对所述沟槽底部的所述半导体衬底进行第三次各向异性刻蚀形成深沟槽；步骤六、在所述深沟槽的侧面和底部表面以及所述多晶硅栅的侧面同时形成第一氧化层；步骤七、进行源多晶硅生长，所述源多晶硅将形成有所述第一氧化层的所述深沟槽和所述沟槽完全填充。