改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件及制造方法

摘要

本发明涉及一种改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件及制造方法，包括发射极铝引线区域、栅铝引线区域、有源区、终端P型场限环、场氧化层、栅Bus区域和终端区域。所述栅铝引线区域位于器件边角位置，发射极铝引线区域位于有源区，栅Bus区域包围着有源区，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的发射极与第一条金属场板、第一条栅极场板连接结构设计，使得IGBT器件在有源区与终端连接区场强均匀性得以改善，使IGBT器件整体场强的均匀性更好。本发明改善了IGBT的有源区与终端连接区场强均匀性，保证了栅铝引线区域铝引线完整性，提高了栅极电压的传输，从而提高了IGBT开关速度，减小开关损耗。

主权项

一种改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件，所述IGBT器件包括发射极铝引线区域、栅铝引线区域、有源区、终端P型场环区、栅铝引线区域铝引线和终端区；其特征在于，所述栅铝引线区域位于IGBT器件边角位置，所述发射极铝引线区域位于有源区，所述栅铝引线区域铝引线包围着有源区，所述终端区位于栅铝引线区域铝引线外围；所述发射极铝引线区域与终端保护环中的一条金属场板以及其中的一条栅极场板均通过终端P型场限环相连；所述栅铝引线区域铝引线设置在IGBT器件的金属层。