基于硅通孔技术的半导体电容器及其制造方法、封装结构

摘要

本发明公开了一种基于硅通孔技术的半导体电容器及其制造方法、封装结构，包括多层金属层和绝缘电介质质层重复形成的金属-绝缘电介质层的叠层结构，同时将偶数层金属层电气连接，奇数层金属层电气连接；每个所述叠层结构中都设置有衬底，且有底电极金属柱贯穿所述衬底。与现有技术相比，本发明通过叠层方式形成的电容器在不扩大占用面积的情况下，增加了电容器电极面积，从而提高电容值，节约了成本；金属-绝缘-金属电容的两个电极可以分别由位于衬底上方和下方的金属引出，利用3D封装技术可以使之与不同的外部电路(如集成电路芯片，PCB板等)电气连接，可实现小型化封装，减少寄生效应。

主权项

一种基于硅通孔技术的半导体电容器，其特征在于，所述半导体电容器包括多层金属层和绝缘电介质质层重复形成的金属‑绝缘电介质层的叠层结构，同时将偶数层金属层电气连接，奇数层金属层电气连接；每个所述叠层结构中都设置有衬底，且有底电极金属柱贯穿所述衬底；其中：两两相邻的奇数层金属层通过若干个金属互连孔相连，并与底电极金属柱相连，形成电容的一个电极；两两相邻的偶数层金属层通过若干个金属互连孔相连，并通过若干个顶电极金属互连孔与顶电极金属层相连，形成电容的另一个电极；多层金属层作为多层电极板，并由所述多层电极板组成半导体电容器。