| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有伪栅极层，所述衬底表面具有介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极层的侧壁表面，且所述介质层暴露出所述伪栅极层；去除所述伪栅极层，在所述介质层内形成开口，所述开口底部暴露出衬底表面；在所述开口底部的衬底表面形成界面层；在所述开口的侧壁表面和所述开口底部的界面层表面形成栅介质层；在所述栅介质层内掺杂逆反应离子；在所述栅介质层表面形成填充满所述开口的栅极层。所形成的晶体管阈值电压减小、能耗降低。 | ||
| 申请公布号 | CN105513967A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201410504675.X | 申请日期 | 2014.09.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵杰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有伪栅极层，所述衬底表面具有介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极层的侧壁表面，且所述介质层暴露出所述伪栅极层；去除所述伪栅极层，在所述介质层内形成开口，所述开口底部暴露出衬底表面；在所述开口底部的衬底表面形成界面层；在所述开口的侧壁表面和所述开口底部的界面层表面形成栅介质层；在所述栅介质层内掺杂逆反应离子；在所述栅介质层表面形成填充满所述开口的栅极层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||