| 发明名称 | 一种MEMS麦克风制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MEMS麦克风制造方法，包括在衬底中形成一深槽，在深槽中填充牺牲层材料并平坦化，形成下极板和上极板，形成上、下极板的接触孔，形成引线窗口，在上极板中形成释放孔，研磨衬底背面，露出深槽中的牺牲层材料，进行释放工艺，去除牺牲层材料，因此无需通过背面工艺即可形成MEMS麦克风结构，可大大降低工艺复杂度，更易于与CMOS工艺集成，并提高成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN105516879A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201510854726.6 | 申请日期 | 2015.11.30 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 袁超 |
| 分类号 | H04R31/00(2006.01)I;H04R19/04(2006.01)I | 主分类号 | H04R31/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;尹英 |
| 主权项 | 一种MEMS麦克风制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在衬底中形成一深槽；在所述深槽中填充牺牲层材料并平坦化；再次沉积牺牲层材料；沉积下极板材料并图形化，形成下极板；再次沉积牺牲层材料并图形化；沉积上极板材料并图形化，形成上极板；沉积介质层材料并图形化，形成上、下极板的接触孔；沉积电连接金属层材料并图形化，形成电连接部；沉积保护层并图形化，形成电连接部的引线窗口；在上极板中形成释放孔；研磨衬底背面，露出深槽中的牺牲层材料；进行释放工艺，去除牺牲层材料，形成MEMS麦克风结构。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区上海浦东张江高斯路497号 | ||