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Mejoras introducidas en los sistemas de electrodos de capas de bloqueo que comprende un cuerpo semiconductor de germanio o silicio soldado a una placa de soporte, más en particular un diodo a cristal o un transistor, caracterizadas por el hecho de que la placa de soporte consiste de uno de los metales de transición no radioactivos de la sexta columna del sistema periódico, es decir, cromo, molibdeno o tungsteno. |
