发明名称 改进基底中斜面蚀刻重复性的装置和方法
摘要 本发明披露了一种与基底斜面蚀刻相关地实施的用于改进基底中的斜面蚀刻重复性的方法。该方法包括提供光学装置并确定所述基底斜面边缘的至少一斜面边缘特征。该方法也包括从所述至少一斜面边缘特征得到至少一补偿因数,所述至少一补偿因数与斜面蚀刻工艺参数的调整有关。该方法进一步包括使用所述至少一补偿因数实施所述斜面蚀刻。
申请公布号 CN102428546B 申请公布日期 2016.04.20
申请号 CN201180002071.X 申请日期 2010.05.04
申请人 朗姆研究公司 发明人 安德里亚斯·费舍尔;纽戈·希恩;弗朗西斯科·卡马戈
分类号 H01L21/3065(2006.01)I 主分类号 H01L21/3065(2006.01)I
代理机构 上海胜康律师事务所 31263 代理人 李献忠
主权项 与基底斜面蚀刻结合实施的用于改进基底中斜面蚀刻重复性的方法,所述基底包括斜面边缘,所述方法包括:使用第一光源,以平行于所述基底的上表面的方向提供第一光用于照射所述斜面边缘;在所述照射所述斜面边缘的过程中获取所述斜面边缘的侧面轮廓图像;使用所述斜面边缘的侧面轮廓图像确定所述斜面边缘的至少一斜面边缘特征;从所述至少一斜面边缘特征得到至少一补偿因数,所述至少一补偿因数与斜面蚀刻工艺参数的调整有关;以及使用所述至少一补偿因数实施所述斜面蚀刻,其中所述至少一斜面边缘特征是填充因数,所述方法进一步包括将与所述斜面边缘的所述侧面轮廓图像相关联的矩形框中的基底面积除以与所述斜面边缘的所述侧面轮廓图像相关联的所述矩形框的总面积以计算所述填充因数;其中所述矩形框通过确定由基底外缘末端已知宽度W和在离基底外缘末端的距离W处确定的基底的厚度T来定义。
地址 美国加利福尼亚州