一种支持从晶圆背面实施切割的芯片封装方法

摘要

本发明一般涉及一种超薄芯片的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种支持从晶圆背面实施切割的芯片封装方法以实现制备超薄芯片。本发明先行在晶圆的正面覆盖一支撑结构，之后于晶圆的背面进行研磨，并在减薄后的晶圆的背面的中心区域沉积一层金属层，并且减薄后的晶圆的背面位于金属层的边缘与晶圆的边缘之间的区域构成一环形带。利用穿透摄影设备在环形带区域内对切割线进行探测，用于探测切割线在水平方向上从金属层下方延伸至环形带下方的延伸部分，同时利用切割刀沿着任意一条切割线两端的所述延伸部分所构成的直线对减薄后的晶圆以及金属层进行切割。

主权项

一种支持从晶圆背面实施切割的芯片封装方法，该晶圆的芯片制备区包含多个芯片且以位于晶圆正面的多条纵横交叉的切割线界定各芯片的边界，其特征在于，包括以下步骤：于晶圆的正面覆盖一支撑结构；于晶圆的背面对晶圆进行研磨，并在减薄后的晶圆的背面的中心区域沉积一层半径小于所述芯片制备区的半径的金属层，其中，减薄后的晶圆的背面位于金属层的边缘与晶圆的边缘之间的区域构成一环形带；利用穿透摄影设备在所述环形带区域内对所述切割线进行探测，用于探测切割线在水平方向上从金属层下方延伸至环形带下方的延伸部分，同时利用第一切割刀沿着任意一条切割线两端的所述延伸部分所构成的直线对减薄后的晶圆以及金属层进行切割。