| 发明名称 | 具有LDD延伸的FinFET设计 | ||
| 摘要 | 形成轻掺杂漏极(LDD)延伸的系统和方法。实施例包括在半导体鳍片上形成栅电极以及在栅电极上方形成介电层。然后蚀刻栅电极以暴露出半导体鳍片的一部分。鳍片的暴露部分包括LDD延伸。本发明提供具有LDD延伸的FinFET设计。 | ||
| 申请公布号 | CN103295904B | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201210207901.9 | 申请日期 | 2012.06.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 莫亦先;陈筱筑;江木吉 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底上形成半导体鳍片；在所述半导体鳍片上方形成具有第一宽度的栅电极；在所述栅电极上方形成具有所述第一宽度的第一介电层；以及减薄所述栅电极至第二宽度，使所述第二宽度小于所述第一介电层所具有的所述第一宽度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||