MOS晶体管及其制作方法

摘要

一种MOS晶体管及其制作方法，其中，MOS晶体管的制作方法包括：形成栅极；利用栅极为掩模进行垂直离子注入；形成侧墙；进行源漏离子注入形成源漏区；所述垂直离子注入形成的离子注入区位于源漏区底部和沟道区底部，呈台阶状分布，其中，位于所述沟道区底部的离子注入区高于位于所述源漏区底部的离子注入区。本发明在栅极形成好之后，栅极的侧墙形成好之前引入一步垂直离子注入，这一步离子注入以栅极为掩模，对半导体衬底进行特定射程和特定剂量的离子注入，改变沟道下方的衬底掺杂浓度，却对源漏区下方的衬底掺杂浓度改变比较小。这样，提高了晶体管的输出电阻，从而提高晶体管的增益。这样的方法对跨导和阈值电压的影响比较小，并且简单易行。

主权项

一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：形成栅极；利用栅极为掩模进行垂直离子注入；在栅极的两侧形成侧墙；进行源漏离子注入形成源漏区；控制离子注入的射程，保证离子注入的位置如下：所述垂直离子注入形成的离子注入区位于源漏区下方和沟道区下方，呈台阶状分布，其中，所述离子注入区位于所述沟道区下方的部分低于源漏区的底部，所述离子注入区位于所述沟道区下方的部分高于其位于所述源漏区下方的部分；所述垂直离子注入的离子为：对PMOS晶体管，注入离子为As、P中的一种；对NMOS晶体管，注入离子为B、BF₂、In中的一种。