一种单晶SiC及其制作方法

摘要

一种单晶SiC及其制作方法，尤其是有完整单晶SiC结构特性，可以用作面材、薄膜、线材的以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成的单晶及其制作方法，其制作方法由二步组成：网格状、集束状的单晶SiC复合体生成与二次补偿单晶SiC生成。该单晶有完整单晶结构特性，以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成，设备简单，不需要特别条件，成本低、产量大；可二次补偿，缺陷容易控制，质量成品率高；晶圆尺寸不受限制，长度可控，可连续生成，适宜大批量生产。

主权项

涉及一种单晶SiC及其制作方法，尤其是有完整单晶SiC结构特性，可以用作面材、薄膜、线材的以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成的单晶及其制作方法，其制作方法由二步组成：网格状、集束状的单晶SiC复合体生成与二次补偿单晶SiC生成，二次补偿也可不要，如模板适宜直接第一步即可形成单晶，其特征是：以定向附着生长（oreinted attachment）原理，形成网格状、集束、薄膜状的单晶SiC、或其复合体，具有完整SiC单晶结构特性。