| 发明名称 | 交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺，包括：形成底电极；在所述底电极顶部形成磁记忆单元阵列，其中包括制备多层薄膜形成串联的磁性隧道结和导电层1/半导体/导电层2三层结构；在所述磁记忆单元阵列顶部形成顶电极。由本发明所制得的交叉矩阵列式磁性随机存储器，利用导电层1/半导体/导电层2三层结构替代三极管作为磁记忆单元中的电流流向选择器，实现了将复杂的供电网路改用简单的交叉式供电方式。本发明极大的简化了MRAM的生产工艺、降低了成本，并且可以极大地提高存储芯片的集成度，特别是对于pSTT-MRAM产品。 | ||
| 申请公布号 | CN105514262A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201510726489.5 | 申请日期 | 2015.10.30 |
| 申请人 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 发明人 | 肖荣福;郭一民;陈峻 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人 | 于晓菁 |
| 主权项 | 一种磁性随机存储器制造工艺，其特征在于，包括：形成底电极；在所述底电极顶部形成磁记忆单元阵列，其中包括制备多层薄膜形成串联的磁性隧道结和导电层1/半导体/导电层2三层结构；在所述磁记忆单元阵列顶部形成顶电极。 | ||
| 地址 | 201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层 | ||