| 发明名称 | 半导体结构及NLDMOS器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构包括硅衬底、形成在硅衬底一侧的场氧化层和栅氧化层；形成在场氧化层和栅氧化层上方的多晶硅层；形成在多晶硅层上方的阻挡层，阻挡层对杂质的阻挡能力大于多晶硅层；以及形成在阻挡层上的掩膜层。掩膜层上具有至少一个窗口，经光刻后至少一个窗口暴露出硅衬底一侧的表面，以栅氧化层、多晶硅层、阻挡层和掩膜层为掩膜在至少一个窗口处对硅衬底进行离子注入。 | ||
| 申请公布号 | CN105514167A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201510991399.9 | 申请日期 | 2015.12.24 |
| 申请人 | 杰华特微电子（杭州）有限公司 | 发明人 | 韩广涛;陆阳;黄必亮;周逊伟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州裕阳专利事务所(普通合伙) 33221 | 代理人 | 应圣义 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：硅衬底；形成在硅衬底一侧的场氧化层和栅氧化层；形成在场氧化层和栅氧化层上方的多晶硅层；形成在多晶硅层上方的阻挡层，所述阻挡层对杂质的阻挡能力大于多晶硅层，以及形成在阻挡层上的掩膜层，所述掩膜层上具有至少一个窗口，经光刻后所述至少一个窗口暴露出硅衬底一侧的表面，以栅氧化层、多晶硅层、阻挡层和掩膜层为掩膜在所述至少一个窗口处对硅衬底进行离子注入。 | ||
| 地址 | 311121 浙江省杭州市余杭区仓前街道文一西路1500号1幢424室 | ||