TFT基板的制作方法及TFT基板

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板，通过将触控扫描线与遮光金属块制作于同一层，将触控感应线与公共电极制作于同一层，所述触控扫描线与触控感应线之间形成互电容，从而构成互电容式触摸传感器，实现内嵌式触控功能，与现有技术相比，节省了一道金属层与一道绝缘层的制作，从而达到减少工艺制程、节约原料的目的，进而实现缩短TFT基板的制程时间以及降低TFT基板的制造成本的效果。本发明的TFT基板，具有内嵌式触控功能，且结构简单，制作成本低。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，同时得到数个遮光金属块(20)、及数条触控扫描线(21)；步骤2、在所述数个遮光金属块(20)、触控扫描线(21)、及基板(10)上形成缓冲层(23)，在所述缓冲层(23)上形成覆盖缓冲层(23)的多晶硅层，对整个多晶硅层进行P型轻掺杂后，采用光刻制程对所述多晶硅层进行图案化，得到对应于遮光金属块(20)上方的第一多晶硅段(30)、及与第一多晶硅段(30)间隔设置的第二多晶硅段(40)；步骤3、对所述第一多晶硅段(30)进行N型掺杂，形成位于两端的N型重掺杂区(31)、位于中间的第一沟道区(32)、及位于N型重掺杂区(31)与第一沟道区(32)之间的N型轻掺杂区(33)；步骤4、在所述第一多晶硅段(30)、第二多晶硅段(40)、及缓冲层(23)上沉积栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，得到分别对应于第一多晶硅段(30)与第二多晶硅段(40)上方的第一栅极(51)与第二栅极(52)；步骤5、对所述第二多晶硅段(40)两侧进行P型重掺杂，得到位于两端的P型重掺杂区(41)、及位于两P型重掺杂区(41)之间的第二沟道区(42)；步骤6、在所述第一栅极(51)、第二栅极(52)、及栅极绝缘层(50)上沉积层间绝缘层(60)，通过光刻制程对所述层间绝缘层(60)与栅极绝缘层(50)进行图案化处理，在所述层间绝缘层(60)与栅极绝缘层(50)上形成对应于N型重掺杂区(31)上方的第一过孔(67)、及对应于P型重掺杂区(41)上方的第二过孔(68)，在所述层间绝缘层(60)上形成对应于第二栅极(52)上方的第三过孔(69)；步骤7、在所述层间绝缘层(60)上沉积第三金属层，对所述第三金属层进行图案化处理，得到间隔设置的第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、第二漏极(64)、及位于第二源极(63)与第二漏极(64)之间的金属块(65)；所述第一源极(61)、第一漏极(62)分别通过第一过孔(67)与N型重掺杂区(31)相接触，所述第二源极(63)、第二漏极(64)分别通过第二过孔(68)与P型重掺杂区(41)相接触，所述金属块(65)通过第三过孔(69)与第二栅极(52)相接触；步骤8、在所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、第二漏极(64)、及金属块(65)上方形成平坦层(70)，对所述平坦层(70)进行图案化处理，在所述平坦层(70)上形成对应于第一漏极(62)上方的第四过孔(71)；在所述平坦层(70)上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行图案化处理，同时得到公共电极(81)、及数条触控感应线(82)；步骤9、在所述公共电极(81)、触控感应线(82)、及平坦层(70)上形成钝化层(90)，之后对钝化层(90)进行图案化处理，得到位于第四过孔(71)中的第五过孔(91)，且所述第五过孔(91)的孔壁属于钝化层(90)；在所述钝化层(90)上沉积第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行图案化处理，得到像素电极(95)，所述像素电极(95)通过第五过孔(91)与第一漏极(62)相接触。